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應用方案

專注於各產品的應用行業和領域的研究和並達到精通，使產品性能的利用達到最大化和最優化。（查看詳情）

單片機
2018-03-12
單片機，全稱單片微型計算機（英語：Single-ChipMicrocomputer），又稱微控製器（Microcontroller），是把中央處理器、存儲器、定時/計數器（Timer/Counter）、各種輸入輸出接口等都集成在一塊集成電路芯片上的微型計算機。與應用在個人電腦中的通用型微處理器相比，它更強調自供應（不用外接硬件）和節約成本。它的最大優點是體積小，可放在儀表內部，但存儲量小，輸入輸出
場效應管的使用優勢
使用優勢場效應管是電壓控製元件，而晶體管是電流控製元件。在隻允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。場效應管能在很小電流和很低電壓的條
場效應管的測試
場效應管的測試:1結型場效應管的管腳識別：場效應管的柵極相當於晶體管的基極，源極和漏極分別對應於晶體管的發射極和集電極。將萬用表置於R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），餘下的一個管腳即為柵極G。對於有4個管腳的結型場效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。2 定柵極　用萬用表黑表筆碰觸管子的
詳解MOS管發熱的可能性原因
1.發熱情況有，電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大
場效應管和CMOS集成電路焊接技巧
焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。　　1.焊絕緣柵場效應管。保留原塑料套管或保護鋁箔，用一段細裸銅絲在管腳根部繞3~4圈，使管腳可靠地接在一起。然後將細裸銅絲兩端擰好，去掉原保護層。再把管腳剪至需要長度並彎成適當形狀，以下可像焊普通晶體管那樣焊接，焊好後拆除細銅絲即可。　　2.焊CMOS集成塊。先找一塊比
繼韓國、美國之後：納米尖端技術，中國搞成功了！
11月28日，寧波時代全芯科技有限公司發布了自主研發的55納米相變存儲芯片，成為繼韓國三星、美國美光之後，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業。業內人士認為這將有利於打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局麵。相變存儲是第四代存儲技術，比現有傳統芯片執行速度快1000倍，耐久性高1萬倍。 支撐未來30年的存儲技術以“芯時代、存世界”為主題的“2013寧波時代全芯科技產品發布會
場效應管--從名稱認識電容在電路中的作用
電容器在電子電路中幾乎是不可缺少的儲能元件，它具有隔斷直流、連通交流、阻止低頻的特性。廣泛應用在耦合、隔直、旁路、濾波、調諧、能量轉換和自動控製等電路中。熟悉電容器在不同電路中的名稱意義，有助於AG亚游集团讀懂電子電路圖。 1.濾波電容它接在直流電源的正、負極之間，以濾除直流電源中不需要的交流成分，使直流電平滑。一般常采用大容量的電解電容器，也可以在電路中同時並接其他類型的小容量電容以濾除高頻交流電。 2
三極管跟MOS管的差別
1.場效應管和三極管輸入電阻的差異？答：1.場效應管是單極、三極管是雙極區別.  2.解決問題方麵:場效應管是電壓控製電流源,控製電壓和電流屬於不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進而根據漏極電流表達式來求出電流值,然後進行模型分析,求出跨導和輸出電阻.而三極管要先建立模型,然後進行電路分析,求解過程特別是計算很複雜,容易出錯;總體而言,我覺得場效應管的分析要比三極管簡單一些.  3.三極管和場效
場效應管和CMOS集成電路焊接技巧
焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。　　1.焊絕緣柵場效應管。保留原塑料套管或保護鋁箔，用一段細裸銅絲在管腳根部繞3~4圈，使管腳可靠地接在一起。然後將細裸銅絲兩端擰好，去掉原保護層。再把管腳剪至需要長度並彎成適當形狀，以下可像焊普通晶體管那樣焊接，焊好後拆除細銅絲即可。　　2.焊CMOS集成塊。先找一塊比
繼韓國、美國之後：納米尖端技術，中國搞成功了！
11月28日，寧波時代全芯科技有限公司發布了自主研發的55納米相變存儲芯片，成為繼韓國三星、美國美光之後，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業。業內人士認為這將有利於打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局麵。相變存儲是第四代存儲技術，比現有傳統芯片執行速度快1000倍，耐久性高1萬倍。 支撐未來30年的存儲技術以“芯時代、存世界”為主題的“2013寧波時代全芯科技產品發布會
場效應管--從名稱認識電容在電路中的作用
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三極管跟MOS管的差別
1.場效應管和三極管輸入電阻的差異？答：1.場效應管是單極、三極管是雙極區別.  2.解決問題方麵:場效應管是電壓控製電流源,控製電壓和電流屬於不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進而根據漏極電流表達式來求出電流值,然後進行模型分析,求出跨導和輸出電阻.而三極管要先建立模型,然後進行電路分析,求解過程特別是計算很複雜,容易出錯;總體而言,我覺得場效應管的分析要比三極管簡單一些.  3.三極管和場效

AG亚游集团（簡稱FNK-TECH） 成立於2003 年。專業從事各種大功率半導體器件與功率集成器件設計、生產和銷售，是中國大功率半導體器件的領航設計與銷售企業。

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