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MOS集成電路時易被靜電擊穿時應留意的規則

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【摘要】:
(1).MOS器件出廠時通常裝在玄色的導電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝  (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動,應用金屬盤來盛放待用器件。  (3).焊接用的電烙鐵必須良好接地。  (4).在焊接前應把電路板的電源線與地線短接,再MOS器件焊接完成後在分開。   (5).MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。 

(1). MOS器件出廠時通常裝在玄色的導電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝

 

 (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動,應用金屬盤來盛放待用器件。

 

 (3). 焊接用的電烙鐵必須良好接地。

 

 (4). 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接,再MOS器件焊接完成後在分開。 

 

 (5). MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。

 

 (6).電路板在裝機之前,要用接地的線夾子往碰一下機器的各接線端子,再把電路板接上往。

 

 (7). MOS場效應晶體管的柵極在答應條件下,最好接進保護二極管。在檢驗電路時應留意查證原有的保護二極管是否損壞。

 

 

 

   實際上說電流控製慢,電壓控製快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運動來工作的,以npn管射極跟隨器為例,當基極加不加電壓時,基區和發射區組成的pn結為阻止多子(基區為空穴,發射區為電子)的擴散運動,在此pn結處會感應出由發射區指向基區的靜電場(即內建電場),當基極外加正電壓的指向為基區指向發射區,當基極外加電壓產生的電場大於內建電場時,基區的載流子(電子)才有可能從基區流向發射區,此電壓的最小值即pn結的正向導通電壓(工程上一般認為0.7v)。但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在,此時如果集電極-發射極加正電壓,在電場作用下,發射區的電子往基區運動(實際上都是電子的反方向運動),由於基區寬度很小,電子很容易越過基區到達集電區,並與此處的PN的空穴複合(靠近集電極),為維持平衡,在正電場的作用下集電區的電子加速外集電極運動,而空穴則為pn結處運動,此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發射極,這就是晶體管的工作原理。三極管工作時,兩個pn結都會感應出電荷,當做開關管處於導通狀態時,三極管處於飽和狀態,如果這時三極管截至,pn結感應的電荷要恢複到平衡狀態,這個過程需要時間。而mos三極管工作方式不同,沒有這個恢複時間,因此可以用作高速開關管。

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